中科院微電子所開發(fā)成功超臨界二氧化碳無損傷清洗設(shè)備

日前，微電子所集成電路先導(dǎo)工藝中心（十室）景玉鵬研究員課題組成功自主研發(fā)超臨界二氧化碳無損傷清洗設(shè)備。應(yīng)用此設(shè)備對硅片進行清洗，清洗后顆粒明顯減少，且平均粒徑小于傳統(tǒng)清洗的粒徑。相對用等離子法清洗，該方法不會對硅片造成損傷，同時可減少工藝步驟，節(jié)省時間，提高工作效率。

      超臨界二氧化碳無損傷清洗設(shè)備擁有良好的溫度和壓力控制系統(tǒng)，并配有遠程智能化操作系統(tǒng)，是一個適合高校和科研機構(gòu)的半導(dǎo)體工藝平臺。該設(shè)備有望解決微電子行業(yè)清洗工藝中的許多難題，例如刻蝕以及灰化后高縱深比結(jié)構(gòu)清洗、刻蝕以及灰化后多孔低介電材料清洗、清洗后干燥、半導(dǎo)體器件金屬顆粒的清洗等。

      此外，利用超臨界二氧化碳還可進行低溫氣膠清洗、硅襯底高選擇比深刻蝕、對硅片任意角度打孔與切割、噴霧涂膠、應(yīng)力可調(diào)HPCVD成膜、MEMS犧牲層干法釋放等多種半導(dǎo)體工藝。超臨界二氧化碳無損傷清洗設(shè)備可通過控制腔室中的壓力和溫度，使半導(dǎo)體成膜技術(shù)擺脫CVD等傳統(tǒng)工藝難以控制膜厚和應(yīng)力的窘境。同時，其二氧化碳緩沖三氟化氯的刻蝕技術(shù)，也代表了無等離子工藝的前沿技術(shù)。

      目前，國內(nèi)其他科研機構(gòu)對超臨界二氧化碳無損傷清洗技術(shù)的研究均未形成產(chǎn)業(yè)化的成型設(shè)備。技術(shù)水平領(lǐng)先的日本和美國目前只開發(fā)出了實驗用樣品機，臺積電等臺灣半導(dǎo)體公司對此的研究也正處在開發(fā)階段。按照國際半導(dǎo)體藍圖（ITRS）的預(yù)測，2010年以前該項技術(shù)都處于評估階段，到2010年以后，該項技術(shù)才會實施。因此，微電子所現(xiàn)已自主研發(fā)成功的超臨界二氧化碳無損傷清洗設(shè)備不僅符合ITRS的發(fā)展趨勢，更具有很大的應(yīng)用空間，尤其在高校和科研機構(gòu)中具有廣闊的市場前景。